램타이밍 / 램타 / 레이턴시.. 뭐 이런 용어들을 많이 들어보셨을 겁니다.
흔히 "램타이밍" 이란 용어와 "CL" 이란 값이
동격으로 쓰이는 경우가 많지만
사실 CL은 CAS Latency의 약자로, 여러가지 '램타이밍' 들 중 한가지입니다.
물론 CL 값이
램타이밍들 중 가장 성능에 영향을 많이 주긴 합니다.
오늘은 램타이밍의 종류와 역할에 대해
알아봅시다.
1. 램타이밍의 종류
흔히 메모리의 스펙을 표시할때 7-7-7-24
등으로 네 개의 숫자열을 표시하는 경우가 많습니다.
간혹 다른 경우도 있지만 대개는 CL - TRCD - TRP - TRAS의 네 가지를
나타냅니다.
각각의 이름은 다음의 약자를 나타냅니다.
CAS Latency: Column-Address Strobe
Letancy
(T)RCD: (앞의 T는 시간을 뜻하는 변수 이름입니다.) Row-address to Column-address
Delay
(T)RP: Row Precharge
(T)RAS: Row Active Time
각각의 램타이밍 항목은
한자리~두세자리 숫자로 나타내지는데, 해당 항목이 차지하는 클럭 사이클을 의미합니다.
즉 1000MHz 메모리의 클럭 사이클은
0.000000001초당 하나씩 왔다갔다 하는데,
이 메모리의 CL값이 10이라면 이 메모리는 CL을 수행하는 데 0.000000001 x
10초가 필요하단 뜻입니다.
2. CAS Latency
간단히 말해 메모리컨트롤러
<-> 메모리 사이의 응답시간입니다.
(한쪽이 데이터를 보낸 뒤 다른 한쪽으로부터 최초의 응답이 있기까지)
메모리는 마치
좌표평면처럼, row와 column으로 셀의 위치를 지정해 데이터를 저장하는데
CAS Latency는 이미 어떤 row/column에
저장할지 파악한 상황에서, 그 column의 데이터를 액세스하는 데 걸리는 시간입니다.
즉 모든 주소가 주어진 상황에서 "맞는
column을 찾아가서 첫번째 비트를 액세스하기까지 걸리는 시간" 으로 정의됩니다.
그렇다면 여기서 벌써 직관적으로 드는 의문이
있죠.
"CL만큼이나 맞는 column를 찾는 시간도 중요하겠네?"
그 시간은 바로......
3.
TRCD
......TRCD가 바로 그 '맞는 column' 를 찾는 시간입니다.
즉 row/column
주소가 있을 때 메모리컨트롤러가 메모리를 액세스하는 데 걸리는 시간은 CL + TRCD가 되겠죠?
정확한 의미는 "하나의 row를 연
뒤, 그 row에 해당하는 column을 찾아 액세스하기까지 걸리는 시간" 입니다.
다시 말해 TRCD는 row 주소가 이미 주어졌고, 그
안에서 column 주소를 찾기까지의 시간인 거죠.
그렇다면 row 주소를 찾기까지의 시간은
뭘까요?
4. TRP
TRP가 바로 row 주소를 찾기까지의 시간이
됩니다.
정확히는 "row를 여는 명령어 (Precharge command) 가 주어진 때부터 row를 열기까지의 시간" 이
됩니다.
그렇다면 또 다시 궁금한 것이 생깁니다. "Precharge command는 얼마나 자주
내려오지?"
5. TRAS
바로 TRAS가 Precharge command의
주기입니다.
그럼 지금까지 배운 내용을 요약해 봅시다.
메모리컨트롤러가 데이터를 액세스하기 위해선 지금까지
언급한 램타이밍들이 거꾸로 등장합니다.
- 메모리컨트롤러가 메모리에 데이터를 쓰고/읽으려면 row/column 주소가
필요합니다.
- Row를 액세스하기 위해 메모리컨트롤러가 'row를 여는 명령어 (Precharge command)' 를
발행합니다.
-----> 여기까지 걸리는 시간이 TRAS 입니다.
- Row를 열라는 명령이 떨어졌으니 문을 엽시다.
낑낑...
- Row가 열렸습니다!
-----> 여기까지 걸리는 시간이 TRP 입니다.
- Row 안에
들어왔습니다.
- 이제 Column 주소를 찾아야 합니다. 두리번 두리번...
-----> 여기까지 걸리는 시간이
TRCD 입니다.
- 맞는 Column 주소까지 찾았습니다. 이제 데이터를 써야/읽어야겠어요.
- 데이터를
썼/읽었습니다!
-----> 여기까지 걸리는 시간이 CL 입니다.
즉 램타이밍의 요소들은 모두의 '합'에
관계되어 있기 때문에 어느 하나만 조여진다고 좋은 게 아닙니다.
다만 가장 잦은 빈도로 사용되는 CL / TRCD 등등 앞쪽에 위치한 값이
작을수록 더 유리하긴 합니다.
또한 Row 안에서 지지고 볶는 일들이 끝나기 전까진 Row 밖에서 열고 닫는걸 아무리 해봐야 별 소용이
없겠죠?
따라서 TRAS 값은 나머지 세 값을 합친 것과 대개 비슷한 값을 가져야 합니다. (더 작아도 별 소용이...)
예를 들어
CL-TRCD-TRP 값이 각각 5-5-5라면 이 메모리의 TRAS 값은 15가 되는 것이 적당하다는
거죠.
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수강료는 추천 한개
램타이밍 이야기 (CL, CAS Latency, RCD, RP, RAS)
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